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日本富士通聯合NIMS在美國發佈無鏑釹磁設計規則

发布日期: 2016-3-25
 

  溢源國際訊,東京,2016年1月12日(JCN電訊)消息,富士通公司今天宣布,與國家物質及材料研究機構(NIMS)和富士通實驗室有限公司聯合研究,開發出了世界上最大的質向磁化模擬裝置,用網狀物覆蓋3億微細區域。

 

溢源國際訊,東京,2016112日(JCN電訊)消息,富士通公司今天宣佈,與國家物質及材料研究機構(NIMS)和富士通實驗室有限公司聯合研究,開發出了世界上最大的反向磁化類比裝置,用網狀物覆蓋3億微細區域。

 

 

該裝置的開發基於

1)大規模反向磁化;

22013年開發的首個模擬技術;

3)這項新的發展提供了更快的計算演算法和更有效的大規模並行處理,類比在電腦上運行;

4)此外,通過利用該技術,富士通進行大規模反向磁化模擬厘清了一種類型的永磁體即釹磁鐵細微結構和磁力之間的關聯;

5)結果成功地展示了一種方法,開發出兩倍以上(矯頑力)於以往磁鐵強度的釹磁鐵,而且不含鏑;(6)在常規的釹磁鐵中,用於增強矯頑力的鏑合金不可或缺。

 

 

這些模擬技術提供了一個明確的不依賴於鏑的高性能釹磁鐵的設計規則。

 

 

富士通和NIMS將在第13屆聯合MMM-INTERMAG大會聯合發佈這些結果,該會於2016111-15日在加利福尼亞州聖達戈舉行。

 

 

溢源國際認為,元素的固有屬性應該隻能被更先進的元素超越替代,方法無法改變內質。對於釹磁是否需要用鏑,不應該為了省鏑、棄鏑去做研究,而應該去深入研究有鏑的益處;然,可以不用的時候自然不用。

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